Intel propone transistor tri-gate per il futuro.

Aperto da Neo, 18 Settembre 2002, 23:29:05

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Neo

Con l'aumentare della scala di integrazione dei transistor sorgono molti problemi che gli integratori si trovano a dover risolvere. Uno dei più importanti riguarda le correnti di dispersione che, a detta di Intel, già intorno ai 40-20nm diventano assolutamente intollerabili. Una possibile soluzione è rappresentata dalla tecnologia SOI che isola il substrato del transistor. Intel però non è mai stata favorevole a questa tecnologia ritenendola "problematica". Un'altra più recente soluzione è costituita dal FinFET, un transistor Dual Gate che consente un migliore funzionamento generale compresa una forte risuzione delle correnti di dispersione. Intel ha però sperimentato addirittura un transistor a 3 gate. La struttura non è più planare ma estesa su un volume quasi cubico. A detta di Intel, la sua soluzione è più efficace del FinFET perchè meno restittiva sulle dimensioni e sullo spessore dei vari strati. Il transistor tri-gate sarà probabilmente usato da Intel con l'avvento della tecnologia a 45nm attesa orientativamente per il 2007.