Hynix Semiconductor ha annunciato di aver sviluppato un chip di memoria DDR SDRAM da 512 Mbit, utilizzando il processo produttivo a 0.10 micron. La nuova memoria è indirizzata a sistemi personal computer high-end e a sistemi server.
Secondo il comunicato, il nuovo chip è compatibile con gli standard PC2100 e PC27000 e può essere usato anche per moduli DDR400. Hynix sta pianificando di avviare la produzione in volumi per la fine dell'anno. La produzione dei chip da 256Mbit e da 1Gbit utilizzando il processo produttivo a 0.10 micron partirà nella prima metà del prossimo anno, secono quanto comunicato ufficialmente dalla compagnia.
La decisione di utilizzare un processo produttivo che porta dimensioni inferiori a quelle attuali, avrà come conseguenza un costo finale del prodotto minore di quello dei competitor.
Hynix ha intenzione di portare il nuovo processo produttivo nelle fabbriche di Ichon, Choongju, ed Eugene