All' IEDM che si sta svolgendo in questi giorni a San Francisco, AMD ha presentato alcuni white paper sulle tecnologie di integrazione che sta mettendo a punto per superare alcune milestone particolarmente difficili nel processo di miniaturizzazione dei transistor.
Per AMD una delle tecnologie del futuro è il Fin Field Effect Transistor (FinFET). La nuova struttura crea in pratica un transistor verticale dotato di due gate anzichè uno. Questo raddoppia l'efficienza elettrica del transistor e ne riduce le dimensioni complessive mantenendo una certa compatibilità con le tecniche tradizionali di integrazione.
Un'altra tecnologia su cui AMD punta in modo particolare per il futuro è rappresentata dall'utilizzo di gate metallici al posto dei comuni gate in polisilicio drogato. L'utilizzo di gate basati sul nickel permetterebbe di eliminare una fase di ion-implantation a tutto vantaggio della pulizia del canale sottostante al gate. Il gate metallico promette forti aumenti di performance elettriche dei transistor.