Da IBM nuovi transistor capaci di 350 GHz

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IBM ha annunciato di aver realizzato i transitor con base silicio più veloci del mondo, capaci di lavorare a frequenze di 350 GHz. I nuovi transistor di Big Blue hanno prestazioni del 300% più elevate rispetto a quelle dei prodotti attuali e risulano del 65% più veloci dei transistor al silicio realizzati precedentemente.
I transistor utilizzano uno schema ed una tecnologia particolare, denominata SiGe, messi a punto da IBM: la base è un composto di silicio e germanio bipolari, capace di operare fino all'incredibile velocità di 350 GHz. Secondo i dati ufficiali di IBM, questa è la quinta generazione di transistor SiGe.
I nuovi transistor saranno presto messi in produzione e saranno destinati alla realizzazione, nel giro di 2 anni, di nuovi chip per telecomunicazioni con frequenze di 150 GHz e oltre. Ma il vantaggio dell'utilizzo di questi nuovi prodotti non sarà solo quello di ottenere componenti più veloci grazie ai clock più elevati, ma anche dispositivi con un minor consumo elettrico, grazie al minor assorbimento energetico del composto SiGe. Altro vantaggio è la riduzione dei costi di realizzazione, visto che i transistor SiGe possono essere realizzati nelle attuali catene di montaggio: grazie a ciò, IBM si aspetta che potranno essere utilizzati anche in prodotti di comunicazione wireless di largo consumo, come ad esempio i cellulari.