Micron continua a spingere la ricerca verso una superiore densità di memorizzazione, introducendo per prima chip DDR da ben 1 Gbit di capacità ciascuno.

La nuova memoria è stata costruita con processo produttivo a 0.11 micron e utilizza un voltaggio di alimentazione di 2.5V. Al momento non è noto quale azienda abbia partecipato alla dimostrazione tecnologica di Micron.

Fonte:
http://www.siliconstrategies.com/story/OEG20021223S0012