AMD e transistor a 10 nanometri

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AMD annuncia, con il seguente comunicato stampa, lo sviluppo del transistor più piccolo mai prodotto, della grandezza do 10 nanometri:

"SUNNYVALE, California - 10 Settembre 2002 - AMD (NYSE: AMD) ha annunciato di aver fabbricato il transistor double-gate più piccolo ad oggi disponibile, utilizzando la tecnologia standard industriale. Questi transistor, che misurano 10 nanometri, ovvero 10 miliardesimi di metro in lunghezza (gate), sono sei volte più piccoli rispetto ai transistor più piccoli attualmente in produzione. L'innovativa ricerca di AMD permetterà di posizionare un miliardo di transistor sullo stesso chip che attualmente ne contiene 100 milioni, rendendo possibile funzionalità molto più ricche. I transistor sono i minuscoli switch on/off che costituiscono i circuiti integrati degli attuali microprocessori. La struttura di un transistor double-gate raddoppia la corrente elettrica che può essere inviata attraverso un transistor. Il design del Transistor Fin Field Effect (FinFET) si basa su un sottile strato verticale di silicio (Fin) che aiuta il controllo della corrente dispersa attraverso il transistor quando questo si trova in stato di "off". La combinazione di questo design permette la creazione di nuovi chip con prestazioni più elevate e geometrie più piccole che mai.

"Lo sviluppo dei transistor è essenziale per la creazione di prodotti con prestazioni più levate per i nostri clienti", ha affermato Craig Sander, AMD's vice president di Technology Development. "L'intera industria dei semiconduttori sta lavorando per rispondere alla sfida di sviluppare nuovi design di transistor che siano più piccoli e abbiano maggiori prestazioni e che comunque possano essere prodotti con deviazioni minime rispetto agli attuali standard dei processi di produzione dell'industria. Il transistor FinFET indica che possiamo continuare a garantire prodotti con prestazioni molto elevate, conservando allo stesso tempo l'infrastruttura tecnologica di base su cui la nostra industria si basa". La dimostrazione in laboratorio di AMD del Transistor da dieci nanometri Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) è il risultato della ricerca collaborativa fra AMD e l'Università della California, Berkeley, con il supporto della Semiconductor Research Corporation (SRC). I dispositivi sono stati prodotti nel Submicron Development Center di AMD. "Le caratteristiche di maggior controllo della corrente dispersa, rendono il transistor FinFET un'attraente candidato per le future generazioni CMOS in scala nanometrica, la cui produzione è prevista per il prossimo decennio", ha affermato Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences of U.C. Berkeley. "Le caratteristiche del dispositivo FinFET mostrano un forte potenziale di espansione della scalabilità della tecnologia CMOS". AMD e L'Università della California presenteranno la relazione, intitolata "FinFET Scaling to 10 nm Gate Lengh" all'International Electron Devices Meeting (IEDM) a San Francisco dal 9 all'11 Dicembre 2002. "


E' incredibile oggi fino a quanto riescono a fare i transistor, tra un pò se si va di questo passo arriveremo alla fibra ottica.